Корейская компания SK hynix в четверг сообщила, что стала первым производителем чипов, который начал массовое производство долгожданного 36 ГБ 12-слойного чипа HBM3E.
Планируется, что чипы поступят в руки клиентов к концу этого года.
Чипы памяти с высокой пропускной способностью (HBM) используют многослойную конструкцию, в которой слои DRAM соединены между собой через сквозные кремниевые переходные отверстия (TSV), что позволяет увеличить плотность памяти в более компактном форм-факторе. Чипы пользуются большим спросом благодаря недавнему всплеску в таких востребованных областях, как ИИ, графические процессоры и суперкомпьютеры.
Предыдущая максимальная емкость SK hynix составляла 24 ГБ HBM3E, что достигалось путем вертикального размещения восьми чипов DRAM по 3 ГБ, как сообщало в то время наше родственное издание Blocks & Files. Массовое производство началось всего шесть месяцев назад в марте, в интересах ключевого клиента Nvidia.
Спрос на продукт был настолько велик, что к маю аналитическая фирма Trendforce предупредила, что нехватка емкости HBM может привести к дефициту поставок DRAM, поскольку компании отказались от последней, чтобы производить модули искусственного интеллекта на своих ограниченных производственных линиях.
Слои нового HBM3E на 40 процентов толще, чем в предыдущем поколении. Компания утверждает, что, наложив четыре дополнительных слоя по 3 ГБ чипов, она увеличила емкость на 50 процентов, сохранив ту же толщину.
SK hynix 12-слойные HBM3E – нажмите для увеличения
Для борьбы с хрупкостью, присущей тонким слоям чипа, SK hynix приступила к их обработке с помощью Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) – процесса, при котором жидкие защитные материалы впрыскиваются между уложенными друг на друга чипами для защиты схем и улучшения рассеивания тепла, а затем затвердевают.
По данным SK hynix, новый чип-продукт «увеличил скорость операций с памятью до 9,6 Гбит/с, что является самой высокой скоростью памяти, доступной на сегодняшний день».
«Если «Llama 3 70B», модель большого языка (LLM), будет управляться одним графическим процессором, оснащенным четырьмя продуктами HBM3E, она сможет считывать 70 миллиардов общих параметров 35 раз в течение секунды», — похвасталась компания.
Акции SK hynix выросли на 9 процентов после сегодняшнего объявления, превзойдя рост акций конкурентов Samsung Electronics и Micron, согласно сообщениям СМИ.
Новая память компании может помочь Южной Корее войти в тройку ведущих стран мира в области искусственного интеллекта, цель, поставленная в тот же день в заявлении президента Юн Сок Ёля.
Правительство заявило, что достигнет этой цели посредством государственно-частного сотрудничества. Юн также пообещал построить Национальный вычислительный центр ИИ и реформировать правила для поддержки усилий SK hynix.
Страна назначила «Президентский комитет по ИИ» ответственным за координацию НИОКР — комитет, состоящий из 30 экспертов, 10 правительственных чиновников министерского уровня и двух помощников президента. ®
